Samsung приступила к выпуску памяти MRAM


Корейская Samsung информирует о старте масштабного производства MRAM памяти. Микросхемы предназначаются для использования в «интернете вещей», различных нейросистемах, а также микроконтроллерах и т.п.

Новая память, имеющая большой перечень преимуществ, призвана сменить встраиваемую eFlash. Ее не требуется предварительно подвергать стиранию, что сделает процесс быстрее в 1000 раз. Новинке не потребуется регенерация данных, к тому же, она способна работать при низких напряжениях.

Читайте также: Как освободить оперативную память?

В производстве будет применена 28-нанометровая FD-SOI технология. По утверждению компании, еще до окончания текущего года микросхемам увеличат емкость до 1Гб. Напомним, что немного раньше Intel также рассказала о готовности приступить к выпуску магниторезистивной STT-MRAM, с 22-нанометровым параметрами транзистора. Следовательно, в ближайшем будущем можно ожидать выпуск многочисленных мобильных устройств с твердотельными накопителями на представленной здесь памяти.

При этом, Intel до сих пор так и не сообщила, когда будет дан старт производству и поставкам памяти. Вероятно, корпорация Samsung сможет опередить ее.




Рекомендую прочесть:

Метки: , ,

Ссылка на основную публикацию